CXMT wdraża HKMG w tranzystorach DRAM i zbliża się do procesu 1a
Chiński producent pamięci CXMT ma wykorzystywać technologię High-k Metal Gate z tlenkiem hafnu, co może ograniczyć upływ prądu w komórkach DRAM i otworzyć drogę do bardziej zaawansowanych procesów produkcyjnych.
Read More