CXMT ma problemy z produkcją pamięci HBM3. Raport wskazuje na bardzo niską wydajność
Chińska firma CXMT napotyka istotne problemy w produkcji pamięci HBM, które są kluczowe dla systemów wykorzystywanych w centrach danych AI. Z raportu przywoływanego przez koreańskie media wynika, że największe trudności dotyczą implementacji połączeń TSV oraz procesu układania i łączenia warstw DRAM w stosach HBM3.
Niska wydajność produkcji HBM3
Według raportu CXMT osiąga obecnie wydajność na poziomie około 25-30 proc. w przypadku 8-warstwowych układów HBM3. Dodatkowo tylko część gotowych produktów przechodzi dalsze testy i ocenę przed dopuszczeniem do zastosowania w urządzeniach końcowych.
Źródła branżowe cytowane przez Chosen wskazują, że w praktyce oznacza to, iż z partii 100 układów HBM3 niemal 80 może nie przejść końcowej kontroli jakości. Problem ma wynikać z trudności w przeniesieniu doświadczeń CXMT z produkcji standardowych pamięci DRAM na znacznie bardziej wymagające układy HBM.
TSV i układanie warstw jako główne wyzwania
Pamięci HBM powstają z wykorzystaniem warstw DRAM układanych jedna na drugiej. W procesie tym stosuje się pionowe połączenia określane jako TSV, czyli through silicon vias. Pozwalają one warstwom pamięci komunikować się z bazowym układem oraz platformą obliczeniową.
Raport wskazuje, że standardowy układ HBM CXMT ma około 3000 otworów TSV. To właśnie ich wykonanie, a także późniejsze układanie i łączenie warstw DRAM, ma sprawiać firmie największe trudności technologiczne.
Dlaczego produkcja HBM jest trudniejsza od DRAM
- Wielowarstwowa konstrukcja: układy HBM wymagają precyzyjnego układania wielu warstw pamięci DRAM.
- Połączenia TSV: pionowe przewodniki muszą zostać wykonane z bardzo dużą dokładnością, aby zapewnić poprawną komunikację między warstwami.
- Proces łączenia: bonding i stacking są bardziej złożone niż w przypadku tradycyjnych modułów DRAM.
- Wymogi jakościowe: każdy defekt może wpłynąć na działanie całego stosu pamięci.
Znaczenie HBM dla rynku AI
Pamięci HBM pozostają jednym z kluczowych elementów infrastruktury związanej z rozwojem sztucznej inteligencji. Zapotrzebowanie na nie rośnie wraz z rozbudową centrów danych, a rynek jest obecnie zdominowany przez takich producentów jak SK hynix, Micron i Samsung.
CXMT zyskało pozycję na rynku dzięki dostawom pamięci DRAM dla chińskich odbiorców, podczas gdy najwięksi producenci zwiększali zaangażowanie w segment HBM. Problemy z uzyskaniem odpowiedniej wydajności produkcji HBM3 pokazują jednak, że wejście w zaawansowaną produkcję pamięci wysokiej przepustowości pozostaje dużym wyzwaniem technologicznym.