Autor: Karolina Chwedorczuk

Dla dzieci

Chiny rozwijają tranzystory GAA dla litografii DUV. Ograniczenia MEOL mogą zawężać efekt do poziomu 5 nm

Chińska Akademia Nauk zaprezentowała architekturę tranzystorów GAA, która według deklaracji może zapewniać osiągi zbliżone do procesu 3 nm przy użyciu starszej litografii DUV. W praktyce część ekspertów wskazuje jednak, że ograniczenia pośrednich warstw połączeń mogą sprowadzać realny potencjał do klasy 5 nm.

Read More