1b DRAM droższy za milimetr kwadratowy niż wafle TSMC N2
Lead: Rynek pamięci DRAM pozostaje pod silną presją cenową. Najnowsze szacunki wskazują, że 1b DRAM osiąga obecnie wyższą wartość w przeliczeniu na milimetr kwadratowy niż wafle produkowane w najnowszym procesie TSMC N2.
1b DRAM z wyższą wyceną niż TSMC N2
Według danych przywoływanych przez Kernel Insight i ZDNet, 300-milimetrowy wafel TSMC N3 kosztuje około 20 tys. dolarów, natomiast wafel N2 o tym samym rozmiarze około 30 tys. dolarów. Po przeliczeniu daje to odpowiednio około 0,283 dolara za milimetr kwadratowy dla N3 oraz 0,424 dolara za milimetr kwadratowy dla N2.
W przypadku 1b DRAM gęstość bitowa wynosi 0,436 Gb na milimetr kwadratowy. Przy referencyjnej cenie 1,50 dolara za Gb oznacza to około 0,654 dolara za milimetr kwadratowy. Taka wartość jest o około 54 proc. wyższa niż w przypadku wafla TSMC N2 w takim samym przeliczeniu.
Wyliczenia opierają się na aktualnych cenach DRAM
Źródło wskazuje, że przyjęta cena 1,50 dolara za Gb jest zbliżona do bieżących notowań rynkowych. DRAM Exchange podał 21 września cenę 24,80 dolara za moduł 16 Gb DDR5 eTT, co odpowiada około 1,55 dolara za Gb.
Również starsza generacja 1z DRAM zbliża się do poziomu wyceny TSMC N2 w przeliczeniu na powierzchnię. Przy gęstości 0,273 Gb na milimetr kwadratowy jej referencyjny koszt wynosi około 0,410 dolara za milimetr kwadratowy.
Niedobór pamięci wpływa na relacje cenowe
Istotne jest to, że produkcja DDR5 jest prostsza niż wytwarzanie układów w procesie TSMC N2. Mimo tego 1b DDR5 jest obecnie wyceniany z około 50-procentową premią wobec najnowszego procesu tajwańskiego producenta. Źródło wiąże tę sytuację z utrzymującym się niedoborem pamięci DRAM o charakterze masowym.
- TSMC N3: około 20 tys. dolarów za 300-milimetrowy wafel, czyli około 0,283 dolara za mm².
- TSMC N2: około 30 tys. dolarów za 300-milimetrowy wafel, czyli około 0,424 dolara za mm².
- 1b DRAM: około 0,654 dolara za mm² przy cenie 1,50 dolara za Gb.
- 1z DRAM: około 0,410 dolara za mm² według referencyjnego przeliczenia.
Samsung i kolejna generacja DRAM
Źródło zwraca również uwagę na plany Samsunga dotyczące procesu B1b, określanego jako pierwsza technologia DRAM tej firmy poniżej 10 nm. Według przytoczonych informacji komórki pamięci i układy peryferyjne mają być wytwarzane na oddzielnych waflach, a następnie łączone z wykorzystaniem hybrydowego bondingu wafer-to-wafer.
Hybrydowe łączenie wafli jest kosztowną techniką, dlatego może pozostawać ważnym czynnikiem w przyszłych kalkulacjach cenowych pamięci nowej generacji. Artykuł źródłowy podkreśla, że obecna sytuacja na rynku DRAM nie wskazuje na szybki powrót do wcześniejszych relacji cenowych.