NVIDIA ma dążyć do ujednolicenia produkcji NVHBM. Samsung i TSMC mogą współpracować przy 3 nm

NVIDIA ma zabiegać o standaryzację produkcji własnych pamięci HBM, określanych jako NVHBM. Według raportu Seoul Economic Daily Samsung i TSMC, zwykle rywalizujące w obszarze produkcji półprzewodników, mają współpracować nad bazowym układem wykonywanym w procesie 3 nm.

Wspólny proces dla bazowego układu NVHBM

Z informacji źródłowych wynika, że NVIDIA chce uprościć łańcuch produkcyjny dla niestandardowych pamięci HBM przeznaczonych dla przyszłych układów graficznych. Kluczowym elementem ma być produkcja bazowego układu NVHBM w technologii 3 nm TSMC, niezależnie od tego, który dostawca pamięci odpowiada za gotowy produkt.

Samsung, który dotąd stosował przy HBM model „turnkey”, obejmujący samodzielne opracowanie zarówno rdzeniowych, jak i bazowych elementów pamięci, miał zaakceptować takie podejście. Raport wskazuje, że byłby to pierwszy przypadek odejścia koreańskiej firmy od dotychczasowego modelu w tym obszarze.

Samsung, Micron i SK hynix w jednym schemacie produkcji

Według doniesień NVIDIA zwróciła się do Samsunga, Microna oraz SK hynix o wykorzystanie procesu 3 nm TSMC dla bazowego układu NVHBM. Celem ma być uzyskanie bardziej przewidywalnych parametrów końcowych pamięci i ograniczenie liczby oddzielnych procedur weryfikacyjnych dla próbek od różnych dostawców.

Źródło podaje również, że rdzeniowy układ pamięci ma bazować na szóstej generacji procesu DRAM, znanej jako 1c. Takie ujednolicenie miałoby pomóc NVIDII w zapewnieniu spójnej wydajności między produktami pochodzącymi od różnych producentów.

NVHBM dla przyszłych układów NVIDIA

Wcześniejsze informacje wskazywały, że niestandardowe pamięci HBM mogą trafić do układów GPU z rodziny Feyman. NVIDIA miała deklarować, że własne rozwiązanie zapewni do 30 proc. większą przepustowość pamięci niż standardowe HBM4E, przy jednoczesnym obniżeniu poboru mocy nawet o 15 proc.

Aby osiągnąć te parametry, firma ma dążyć do ograniczenia różnic produkcyjnych między dostawcami. Zastosowanie jednego procesu dla bazowego układu ma zmniejszyć potrzebę osobnego sprawdzania rozwiązań każdego producenta, co mogłoby zaoszczędzić czas i zasoby.

Najważniejsze informacje z raportu

• NVIDIA ma rozwijać niestandardowe pamięci NVHBM.
• Samsung i TSMC mają współpracować przy bazowym układzie w procesie 3 nm.
• Micron i SK hynix również mają zostać objęte tym samym podejściem produkcyjnym.
• Rdzeniowy układ pamięci ma wykorzystywać proces DRAM szóstej generacji, określany jako 1c.
• Celem ma być spójna wydajność i mniejsza liczba etapów kontroli jakości.

Samsung nadal zabezpiecza własne możliwości

Raport wskazuje, że Samsung mimo zgody na wykorzystanie procesu TSMC nadal analizuje użycie własnych mocy produkcyjnych. Taki scenariusz miałby być brany pod uwagę w przypadku, gdyby zapotrzebowanie na NVHBM przekroczyło możliwości produkcyjne TSMC.

Jednocześnie standardowe pamięci HBM mają nadal powstawać według dotychczasowego modelu Samsunga, obejmującego rozwój zarówno rdzeniowego, jak i bazowego układu. Dla koreańskiej firmy segment HBM pozostaje istotny również z finansowego punktu widzenia. Wcześniejsze szacunki wskazywały, że straty działu foundry Samsunga spadły z 6,74 bln wonów w 2025 roku do 3,92 bln wonów w 2026 roku, czyli o 41 proc.