Samsung wzmacnia pozycję w segmencie foundry dzięki współpracy z Broadcomem

Samsung rozwija strategię konkurowania z TSMC na rynku usług foundry, stawiając nie tylko na zaawansowaną litografię, ale także na własne zaplecze pamięciowe. Współpraca z Broadcomem ma objąć m.in. proces 2 nm oraz pamięci HBM4 wykorzystywane w akceleratorach AI.

Samsung i Broadcom z memorandum o współpracy

Według informacji źródłowych Samsung podpisał z Broadcomem memorandum o współpracy, które ma wspierać rozwój infrastruktury sztucznej inteligencji nowej generacji w perspektywie najbliższych pięciu lat. Wartość porozumienia opisywana jest jako sięgająca 200 mld dolarów.

Kluczowym elementem współpracy ma być wykorzystanie przez Broadcoma pamięci HBM4 Samsunga w akceleratorach AI. W dalszej perspektywie znaczenie ma mieć także kolejna generacja pamięci, określana jako HBM4E, której zwiększanie produkcji ma poprawić konkurencyjność oferty koreańskiego koncernu.

Proces 2 nm i wsparcie dla układów Broadcoma

Samsung ma zastosować swój proces 2 nm GAA w wybranych produktach Broadcoma, w tym w układach przeznaczonych do szybkiej komunikacji danych. Źródło wskazuje, że porozumienie nie ogranicza się wyłącznie do samej produkcji chipów.

Rola Samsunga ma obejmować szerszy zakres działań, od etapu projektowania, przez optymalizację i pakowanie, aż po produkcję wolumenową. Takie podejście ma pomóc Broadcomowi skrócić czas projektowania i rozwoju układów.

Najważniejsze elementy współpracy

• Proces 2 nm GAA Samsunga ma zostać wykorzystany w kluczowych produktach Broadcoma.
• Pamięci HBM4 mają trafić do akceleratorów AI Broadcoma.
• HBM4E ma w przyszłości zwiększyć konkurencyjność oferty pamięciowej Samsunga.
• Samsung ma wspierać Broadcoma na etapach projektowania, optymalizacji, pakowania i produkcji.

Przewaga dzięki zintegrowanej ofercie

TSMC pozostaje liderem globalnego rynku półprzewodników i rozwija zarówno zaawansowaną litografię, jak i technologie pakowania. Źródło podkreśla jednak, że Samsung może konkurować w inny sposób: łącząc usługi foundry z własnymi pamięciami DRAM i rozwiązaniami magazynowania danych.

W przypadku TSMC główną siłą pozostaje model pure-play foundry, czyli koncentracja na produkcji układów dla klientów zewnętrznych. Samsung, oprócz najnowszych procesów technologicznych, może zaoferować także pamięci i elementy infrastruktury potrzebne do projektowania bardziej zintegrowanych rozwiązań.

Połączenie procesu 2 nm z produkcją pamięci DRAM w technologii 1c ma dawać możliwość wspólnej optymalizacji projektu fizycznego układu, zasilania oraz parametrów termicznych. W przypadku TSMC podobny efekt wymagałby współpracy z zewnętrznymi dostawcami pamięci, co mogłoby zwiększać ryzyko integracyjne i komplikować łańcuch dostaw.

Znaczenie dla rynku AI

Rosnące zapotrzebowanie na pamięci i układy dla sztucznej inteligencji sprawia, że producenci półprzewodników coraz mocniej konkurują o kontrakty obejmujące całe ekosystemy sprzętowe. Współpraca Samsunga z Broadcomem ma ograniczać potencjalne wąskie gardła w dostawach i skracać czas potrzebny do ukończenia projektów chipów.

Źródło wskazuje również, że proces 2 nm TSMC miał już odpowiadać za 3 proc. przychodów firmy w trzecim kwartale 2026 roku. Samsung, mimo dystansu do lidera rynku foundry, liczy na przewagę wynikającą z połączenia zaawansowanej produkcji półprzewodników z własnym portfolio pamięci.